长鑫新桥存储获国家大基金二期注资145.6亿元
专栏
2023-11-28 11:19
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10月31日消息,据天眼查、企查查平台信息显示,近日,长鑫新桥存储(长鑫新桥存储技术有限公司)完成新一轮近390亿元增资,注册资本由50亿元提升至439.24亿元,其中,原两家股东之一的长鑫芯安出资额由43.5亿元提升至147.5亿元,新增认缴出资104亿元,原两家股东之一的合肥鑫益合升出资额由6.5亿元提升至146.2亿元,新增认缴出资139.7亿元,新股东国家大基金二期首次参与入股,新增认缴出资145.6亿元。
目前,新一轮增资后,长鑫新桥存储三大股东分别为:长鑫芯安(持股33.5713%)、合肥鑫益合升(持股33.2802%)、国家大基金二期(33.1484%),国家大基金二期为长鑫新桥存储第三大股东。
天眼查显示,长鑫新桥存储注册成立于2021年1月,法定代表人赵纶也是长鑫存储董事及总经理。
值得一提的是,天眼查还显示,今年2月,长江存储注册资本也从562.75亿元增至1052.7亿元,其中,大基金二期首次参与入股,认缴出资128.87亿元,持股12.24%,已成为长江存储第四大股东。
据科创板日报报道,一位半导体产业人士表示,长鑫新桥是合肥存储器基地项目,为2019年合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等宣布签约总投资超2200亿元、共同打造合肥长鑫集成电路制造基地项目的一部分,
主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资金额为1500亿元,一期项目已经达产,二期项目正在启动扩产中。
资料显示,长鑫存储采用IDM(设计与制造一体化)运营模式,长鑫存储12寸存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一家投入量产的DRAM设计制造一体化项目,分三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂,打造集研发、生产、销售于一体的存储器IDM国产化基地,预计三期满产后产能36万片/月,目前DRAM生产制程工艺处于1Xnm(16nm-19nm)阶段。
一期已于2019年9月宣布投产,设计产能为每月12万片晶圆,10纳米级第一代8Gb DDR4 已2019年首度亮相;2019年底曾有报道称,在量产10G1工艺技术(又名19 nm)生产4 Gb和8 Gb DDR4芯片后,长鑫存储还制定了用于DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5的10G3(也称为17 nm),以及用于DDR5、LPDDR5和GDDR6的10G5的路线图;
二期已于2021年6月进行开工建设,当时有报道称,新厂房是为了未来进入1y nm以下的工艺节点(接近15nm工艺)做长远布局,当时长鑫存储正在研发17nm(10G3工艺),之后拟研发10G4工艺节点(接近国际大厂15nm/1y nm工艺),二期厂房主要生产10G4工艺技术以下芯片。
2022年,曾有报道称,长鑫存储在此前2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标,2022年的产能目标是12万片晶圆/月,长鑫存储17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%,2022年二季度,将试产17nm工艺的DDR5内存芯片,并寻求扩大产能。
国家大基金二期此次入股长鑫存储相关项目,注资长鑫新桥存储145.6亿元,与原股东一起共新增注资390亿元,未来有望提升长鑫存储产品良率和加速其扩产进程。
近日,市场研究机构 TechInsights还发布一份报告称,在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片,它来自中国的3D NAND制造商长江存储,长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片,具有市售NAND产品中最高的位密度,为19.8 Gb/mm2,超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm),TechInsights表示,越来越多的证据表明,中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。
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10月31日消息,据天眼查、企查查平台信息显示,近日,长鑫新桥存储(长鑫新桥存储技术有限公司)完成新一轮近390亿元增资,注册资本由50亿元提升至439.24亿元,其中,原两家股东之一的长鑫芯安出资额由43.5亿元提升至147.5亿元,新增认缴出资104亿元,原两家股东之一的合肥鑫益合升出资额由6.5亿元提升至146.2亿元,新增认缴出资139.7亿元,新股东国家大基金二期首次参与入股,新增认缴出资145.6亿元。
目前,新一轮增资后,长鑫新桥存储三大股东分别为:长鑫芯安(持股33.5713%)、合肥鑫益合升(持股33.2802%)、国家大基金二期(33.1484%),国家大基金二期为长鑫新桥存储第三大股东。
天眼查显示,长鑫新桥存储注册成立于2021年1月,法定代表人赵纶也是长鑫存储董事及总经理。
值得一提的是,天眼查还显示,今年2月,长江存储注册资本也从562.75亿元增至1052.7亿元,其中,大基金二期首次参与入股,认缴出资128.87亿元,持股12.24%,已成为长江存储第四大股东。
据科创板日报报道,一位半导体产业人士表示,长鑫新桥是合肥存储器基地项目,为2019年合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等宣布签约总投资超2200亿元、共同打造合肥长鑫集成电路制造基地项目的一部分,
主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资金额为1500亿元,一期项目已经达产,二期项目正在启动扩产中。
资料显示,长鑫存储采用IDM(设计与制造一体化)运营模式,长鑫存储12寸存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一家投入量产的DRAM设计制造一体化项目,分三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂,打造集研发、生产、销售于一体的存储器IDM国产化基地,预计三期满产后产能36万片/月,目前DRAM生产制程工艺处于1Xnm(16nm-19nm)阶段。
一期已于2019年9月宣布投产,设计产能为每月12万片晶圆,10纳米级第一代8Gb DDR4 已2019年首度亮相;2019年底曾有报道称,在量产10G1工艺技术(又名19 nm)生产4 Gb和8 Gb DDR4芯片后,长鑫存储还制定了用于DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5的10G3(也称为17 nm),以及用于DDR5、LPDDR5和GDDR6的10G5的路线图;
二期已于2021年6月进行开工建设,当时有报道称,新厂房是为了未来进入1y nm以下的工艺节点(接近15nm工艺)做长远布局,当时长鑫存储正在研发17nm(10G3工艺),之后拟研发10G4工艺节点(接近国际大厂15nm/1y nm工艺),二期厂房主要生产10G4工艺技术以下芯片。
2022年,曾有报道称,长鑫存储在此前2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标,2022年的产能目标是12万片晶圆/月,长鑫存储17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%,2022年二季度,将试产17nm工艺的DDR5内存芯片,并寻求扩大产能。
国家大基金二期此次入股长鑫存储相关项目,注资长鑫新桥存储145.6亿元,与原股东一起共新增注资390亿元,未来有望提升长鑫存储产品良率和加速其扩产进程。
近日,市场研究机构 TechInsights还发布一份报告称,在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片,它来自中国的3D NAND制造商长江存储,长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片,具有市售NAND产品中最高的位密度,为19.8 Gb/mm2,超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm),TechInsights表示,越来越多的证据表明,中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。
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